به گزارش خبرنگار گروه علمی و دانشگاهی خبرگزاری فارس به نقل از تک اکسپلوریست، حافظه های فلاش به علت سرعت و ظرفیت بالا بسیار محبوب هستند، اما تولید یک تراشه تازه توسط توشیبا باز هم کیفیت آنها را ارتقا بخشیده است.

 یکی از اجزای مهم حافظه های فلاش تراشه هایی هستند که وظیفه کنترل رابط کاربری، سرعت فعالیت ها و غیره را بر عهده دارند. اما تعداد تراشه های قابل استفاده در این حافظه های فلاش محدود هستند.

برای حل این مشکل باید رابط های کاربری و کنترل کننده های مناسبی ساخته شوند. اما طراحی این ابزار بر روی برد حافظه های فلاش کار ساده ای نیست. برای غلبه بر این مشکل شرکت توشیبا به تازگی تراشه ای خاص تولید کرده که هم بر ظرفیت و هم بر سرعت حافظه های فلاش یا اسn> اس دی به میزان قابل ملاحظه ای می افزاید.

تولید تراشه یادشده با استفاده از فناوری 28 نانومتری CMOS صورت گرفته و کاربرد آن سرعت حافظه های فلاش را به 25.6 گیگابیت در ثانیه افزایش می دهد. این تراشه دیگر تراشه های حافظه و کنترل کننده های آنها را به یکدیگر پیوند می زند و با استفاده از آن می توان ظرفیت حافظه های فلاش را چند برابر کرد.

قرار است اطلاعات فنی بیشتر در مورد این تراشه همزمان با برگزاری کنفرانس ISSCC 2019 در شهر سان فرانسیسکوی آمریکا ارائه شود.

انتهای پیام/